存储：涨价+国产替代！

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华为Mate 60 Pro拆机显示，该手机使用了韩国SK海力士的LPDDR5和NAND存储芯片。9月7日午间，海力士对此表示，正在调查华为手机出现海力士零件的情况，因为之前在2020年9月，美国政府加大对华为的制裁，海力士和三星被禁止向华为供应新的存储芯片。

存储芯片是周期性最强的芯片品种之一，下游应用于各种电子电气产品，自从2021年3季度半导体周期见顶以来，存储芯片价格不断下跌。从今年二季度开始，全球存储龙头三星、海力士、美光纷纷宣布减产以控制价格。

在需求端弱复苏背景下，行业龙头持续减产，存储器价格近期已经表现出超跌反弹的趋势，涨价的声音不断出现，行业周期拐点有望提前。

今年8月初，业内传出消息称，三星计划将NAND存储芯片涨价15%。
8月17日，国内的NAND模组厂已暂停报价及接单，将配合三星报价调高8%-10%。
9月1日，有NAND原厂与部分模组厂议定新一笔订单，成功涨价10%。
9月5日，天风国际分析师发文称，美光将自9月开始调涨NAND合约价10%。
9月6日，摩根士丹利在最新报告中指出，由于NAND价格已触底，闪存厂商群联部分客户已接受了30%-35%的价格上涨。

除了存储行业逐步企稳复苏外，国产替代也在持续进行中。今年3月31日，我国网络安全审查办公室发布《关于对美光公司在华销售产品启动网络安全审查的公告》，对美光在华销售的产品实施网络安全审查。6月16日，美光发布文件称，大约一半的中国客户收入面临受到影响的风险，对应大约38.5亿美元，相当于约280亿元人民币。

就存储两个大类单品来看，国内长江存储的NAND产品技术节点已经处于国际第一梯队，合肥长鑫的DRAM产品与海外差距仍有2-3年。

NAND方面，长江存储的232层NAND闪存技术在去年下半年成为全球首个量产的产品，并于今年上半年大批量上市，技术能力与量产进度均为全球领先，相较于全球龙头存储企业，在产品稳定性方面仍有小幅差距，但已经可以实现国产替代。

DRAM方面，合肥长鑫2021年完成17nm技术研发，并加速向DDR5产品研发，目前仍处于量产前夕，国际存储巨头如三星、海力士等已于2020年完成1Z（等效约12nm）制程量产，合肥长鑫与海外差距在2-3年，高端领域短期难以实现替代。

另外，今年随着AI的兴起，存储新技术HBM需求迎来爆发。HBM (高带宽内存)是堆叠DRAM架构，可实现超高带宽，目前英伟达的GPU服务器使用了HBM。2023年开年后，海力士HBM订单快速增加，价格上涨5倍。6月16日，消息称海力士为应对人工智能半导体需求增加，计划将HBM产能扩大2倍。